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高性能RF TechZone

-----2015-11-11

 恩智浦使您盡展下一代射頻和微波設計的性能。

恩智浦使人明晰設計挑戰的各個方面,因此您可盡展射頻和微波設計的性能。我們不斷致力于射頻的創新,憑借基礎設施和洞察力來激勵您在性能關鍵應用方面的信心。

我們經濟可靠且不斷壯大的
射頻和微波產品陣容及其相關技術給予您在優化設計時更大的自由度,并推動具有35年歷史的飛利浦傳統射頻技術的創新。
了解我們是如何助您盡展下一代射頻和微波設計的性能。


通過不斷壯大的技術組合優化您的系統:

只有恩智浦推出可使您產品脫穎而出的高性能射頻技術組合  – 無論您在射頻界處于何種地位。這就是客戶因任務關鍵型設計而信任我們的原因。

領先的工藝 
無論是針對高功率射頻應用的LDMOSGaN,還是針對小信號需求的SiGe和BiCMOS,我們都為您囊括。該影響深遠的技術組合提供自由度,使您在設計時滿懷信心。

例如,恩智浦最近開發的GaN晶體管結合了高頻以及射頻放大器中高功率和高效率的特點 – 是基站、廣播和雷達的理想之選。 同時,我們的LDMOS高功率射頻放大器和功率晶體管堅固、高效且成本低,適用于無線基站、ISM、廣播以及航空和國防等應用。
針對您對小信號的需求,我們SiGe技術通過一致、堅固且經濟的硅實現在高頻率、高功率以及高效率情況下類似于GaA的性能 — 所有器件的占位面積都很小。

裝創新
除了工藝之外,我們還特別關注封裝。為了擴容已相當成熟的陶瓷封裝組合,我們正在開發全系列超模壓塑料(OMP)封裝,主要涉及產品包括射頻功率晶體管和MMIC,峰值功率可達200W。

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